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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IRFH5110TR2PBF

技術標準參數：MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

制造商產品型號：IRFH5110TR2PBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Ta），63A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：12.4 毫歐 @ 37A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：72nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3152pF @ 25V

功率 - 最大值：3.6W

安裝類型：表面貼裝

產品封裝：8-PowerVQFN

供應商器件封裝：PQFN（5x6）

IRFH5110TR2PBF均從IR代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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