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圖片信息
IXGK120N120B3圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:IXGK120N120B3
  • 原始制造廠商:IXYS
  • 技術標準參數:IGBT 1200V 200A 830W TO264
  • 產品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載IXGK120N120B3的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:IXGK120N120B3
  • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
  • 描述:IGBT 1200V 200A 830W TO264
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:GenX3?
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:PT
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):200A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):370A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):3V @ 15V,100A
  • 功率-最大值:830W
  • 開關能量:5.5mJ(開),5.8mJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:470nC
  • 25°C時Td(開/關)值:36ns/275ns
  • 測試條件:600V,100A,2 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-264-3,TO-264AA
  • IXGK120N120B3均從IXYS代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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