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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：BSS159N H6327

技術標準參數：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號：BSS159N H6327

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23

系列：SIPMOS

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：耗盡模式

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：230mA（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.5 歐姆 @ 160mA，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 26μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.9nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：44pF @ 25V

功率 - 最大值：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商器件封裝：PG-SOT23-3

BSS159N H6327均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Infineon

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