深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IMBG120R060M1HXTMA1（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號(hào)：IMBG120R060M1HXTMA1制造商：Infineon Technologies描述：TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列：CoolSiC?零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1.2kV25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：36A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：83 毫歐 @ 13A，18V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 5.6mA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：34nC @ 18VVgs（最大值）：+18V，-15V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1.145nF @ 800VFET功能：標(biāo)準(zhǔn)功率耗散（最大值）：181W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PG-TO263-7-12IMBG120R060M1HXTMA1均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
