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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IMW65R072M1HXKSA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術標準參數：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：IMW65R072M1HXKSA1

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態：有源

FET類型：-

技術：-

漏源電壓（Vdss）：-

25°C時電流-連續漏極(Id)：26A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：-

不同Id時Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作溫度：-

安裝類型：-

器件封裝：-

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