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深圳市南皇電子有限公司長期提供APT33GF120B2RDQ2G（品牌: Microsemi）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：APT33GF120B2RDQ2G

原始制造廠商：Microsemi，美高森美

技術標準參數：IGBT 1200V 64A 357W TMAX

產品應用分類：單路IGBT

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技術參數詳解：

Microsemi美高森美完整型號：APT33GF120B2RDQ2G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT 1200V 64A 357W TMAX

系列：-

IGBT 類型：NPT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：64A

Current - Collector Pulsed (Icm)：75A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3V @ 15V，25A

功率 - 最大值：357W

Switching Energy：1.315μJ （開）， 1.515μJ （關）

輸入類型：標準

Gate Charge：170nC

25°C 時 Td（開/關）值：14ns/185ns

Test Condition：800V, 25A, 4.3 歐姆, 15V

反向恢復時間 (trr)：-

封裝/外殼：TO-247-3 變式

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：*

APT33GF120B2RDQ2G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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