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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：BUK9K18-40E,115

技術標準參數：MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D

產品應用分類：場效應管陣列

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技術參數詳解：

NXP恩智浦完整型號：BUK9K18-40E,115

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D

系列：TrenchMOS?

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：30A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14.5nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1061pF @ 25V

功率 - 最大值：38W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-1205， 8-LFPAK56

供應商器件封裝：LFPAK56D

BUK9K18-40E,115均從NXP代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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