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圖片信息
2SK4181-TL-E圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:2SK4181-TL-E
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
  • 產品應用分類:FET - 單
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  • 技術參數詳解:
  • ON安森美半導體完整型號: 2SK4181-TL-E
    制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
    功能總體簡述: MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
    系列: -
    FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET 功能: 標準
    漏源極電壓(Vdss): 525V
    電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 7.5A(Ta)
    不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 920 毫歐 @ 3.7A,10V
    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -
    不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 24nC @ 10V
    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 600pF @ 30V
    功率 - 最大值: 70W
    安裝類型: 表面貼裝
    產品封裝: 3-SMD,扁平引線
    供應商器件封裝: ZP
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