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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：NTMD6P02R2SG

技術標準參數：MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：NTMD6P02R2SG

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：-

零件狀態：停產

FET類型：2 個 P 溝道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續漏極(Id)：4.8A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：33 毫歐 @ 6.2A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1700pF @ 16V

功率-最大值：750mW

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

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