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圖片信息
NTMFD6H846NLT1G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:NTMFD6H846NLT1G
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 80V
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載NTMFD6H846NLT1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:NTMFD6H846NLT1G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 80V
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:卷帶(TR)
  • 零件狀態(tài):-
  • FET類型:有源
  • FET功能:2 N-通道(雙)
  • 漏源電壓(Vdss):標(biāo)準(zhǔn)
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):80V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):9,4A(Ta),31A(Tc)
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):15 毫歐 @ 5A,10V
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):2V @ 21μA
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):17nC @ 10V
  • 功率-最大值:900pF @ 40V
  • 工作溫度:3,2W(Ta),34W(Tc)
  • 安裝類型:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 封裝:表面貼裝型
  • NTMFD6H846NLT1G均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    ON產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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