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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：RJK1001DPN-E0#T2

技術標準參數：MOSFET N-CH 100V 80A TO220

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

Renesas瑞薩完整型號：RJK1001DPN-E0#T2

制造廠家名稱：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 100V 80A TO220

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：80A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.5 毫歐 @ 40A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：147nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10000pF @ 10V

功率 - 最大值：200W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：TO-220AB

RJK1001DPN-E0#T2均從Renesas代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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