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圖片信息
MT3S111TU,LF圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:MT3S111TU,LF
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
  • 技術標準參數:RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
  • 產品應用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
  • 點擊此處下載MT3S111TU,LF的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:MT3S111TU,LF
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
  • 零件狀態:有源
  • 晶體管類型:NPN
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):6V
  • 頻率-躍遷:10GHz
  • 噪聲系數(dB,不同f時的典型值):0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
  • 增益:12.5dB
  • 功率-最大值:800mW
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):200 @ 30mA,5V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:3-SMD,扁平引線
  • MT3S111TU,LF均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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