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圖片信息
TH58BYG2S3HBAI6圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:TH58BYG2S3HBAI6
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
  • 技術標準參數(shù):EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA
  • 產(chǎn)品應用分類:存儲器
  • 點擊此處下載TH58BYG2S3HBAI6的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 東芝半導體公司完整型號: TH58BYG2S3HBAI6
  • 制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 功能總體簡述: EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA
  • 系列: Benand
  • 格式 - 存儲器: EEPROMs - 串行
  • 存儲器類型: EEPROM - NAND
  • 存儲容量: 4G(512M x 8)
  • 速度: 25ns
  • 接口: 并聯(lián)
  • 電壓 - 電源: 1.7 V ~ 1.95 V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼: 67-VFBGA
  • 供應商器件封裝: 67-VFBGA(6.5x8)
  • TH58BYG2S3HBAI6均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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