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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：TPH3208LDG

原始制造廠商：Transphorm

技術標準參數：GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：TPH3208LDG

制造商：Transphorm

描述：GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態：停產

FET類型：N 通道

技術：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650V

25°C時電流-連續漏極(Id)：20A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：130 毫歐 @ 13A，8V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 300μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：14nC @ 8V

Vgs（最大值）：±18V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：760pF @ 400V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：96W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：3-PQFN（8x8）

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