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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：UF3SC065030D8S

原始制造廠商：UnitedSiC

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：SICFET N-CH 650V 18A 4DFN

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：UF3SC065030D8S

制造商：UnitedSiC

描述：SICFET N-CH 650V 18A 4DFN

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（共源共柵 SiCJFET）

漏源電壓（Vdss）：650V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：18A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：12V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：42毫歐 @ 20A，12V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：43nC @ 12V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：179W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：4-DFN（8x8）

UF3SC065030D8S均從UnitedSiC代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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